Yahoo报道称，旧金山时间12月13日，IBM将和Qimonda/Macronix公司一起，在IEEE大会上展示一种闪存杀手型芯片——相变（phase-change）内存。
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相变（phase-change）内存
IBM称新型内存比闪存的速度快500~1000倍，存储密度也很高，是基于锗锑等元素的半导体，在应用上将会取代硬盘和闪存、内存等产品，IBM实验室的科学家们已经拿出了一个相变内存的原型产品，据称其横截面积只有3x20nm。
IBM称，如果闪存的发展速度严格按照摩尔定律，那也需要等到2015年才可以赶上这种先进的相变内存。
IT168观点：内存/闪存价格高，硬盘速度慢，于是电脑平台才出现这种搭配使用的情况，想象一下，如果相变内存速度高、容量大，完全可以取代内存和硬盘，这无疑是一个翻天覆地的变化，比多核CPU的影响力都大，当然任何一种新技术，能否降低成本才是成功的关键。
