新一代DDR3-SDRAM内存开发成功

　　日本Bufflo于近日宣布成功开发出下一代电脑用DDR3 SDRAM内存和DDR3  SDRAM SO-DIMM内存

　　新开发的DDR3拥有高速数据传输性能，工作电压更低，此次开发的两种内存分别是240针的Unbuffered DIMM和204针的Unbuffered SO-DIMM，其频率为1066MHz，工作电压为1.5v，比DDR2的1.8v降低了不少。

DDR3-1066笔记本内存外观

　　据介绍，新的内存将会于2007年开始投放市场，届时将重点发展1GB和2GB等大容量类型。