XTUNE DDR2-800 CL4 SPD剖析
● 原厂DDR2模组支持EPP
这款来原装模组还支持EPP技术。EPP（Enhanced Performance Profiles）内存模组是对JEDEC标准DDR2内存模组的一种增强，实现方法是在内存模组存储SPD信息的EPROM中附加额外的性能定制信息。当内存模组安装在支持EPP技术的主板上时，主板BIOS能够识别出这些信息，并自动以设定好的最佳化频率/时序模式运行，事实上就是官方验证过的超频动作，简化了用户自行设定和尝试的过程。这种方便的系统性能改善技术由NVIDIA推动并主导，目前越来越多的超频型模组厂商推出了带有EPP信息的高端产品。
自动超频技术EPP工作模式
NVIDIA从nForce 590 SLI开始引入推出了这项技术，并命名为SLI-Ready Memory。通过使用EPP内存模组，目前流行的nForce 680i SLI甚至可以自动支持DDR2-1200的高水平。
产品标签状况
产品标签提供的信息包括产品型号、容量、速度和延迟。亿能内存使用无铅工艺制造，模组组装产地在马来西亚，注意4-4-4的时序标注，这是它和市场上大量的5-5-5时序DDR2-800的不同之一。
● SPD信息分析
CPU-Z获得的SPD信息
CPU-Z 1.43显示的AENEON XTUNE DDR2-800 SPD信息如上图，模组容量、速度和制造商及产品型号等信息非常全面，明确支持EPP。内存时序表部分设定相对特殊，包含一组EPP DDR2-800的设置，为4-4-4-12。这种SPD时序表仅能在支持EPP技术的主板上生效，而在其他主板上需要在主板BIOS中手动设定，或自动读取为5-5-5-18的保守设定。
影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：
CAS Latency，内存CAS延迟时间。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。
